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产品中心

终端继电器

  • 型   号:G6D-F4B/G3DZ-F4B
  • 价   格:

追求使用便利性和节省空间的4点
输出用继电器终端
• 宽31×高35×进深68mm。和PYF插座相等的尺寸。
• 独立接点、独立线圈。
• 可通过短路棒(另售)方便地进行公共连接。
而且相邻的终端也能公共连接。
• 备有端子保护罩,防止触电。
• 备有继电器搭载型和功率MOS FET继电器搭载型。
• 带动作显示LED。

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额定值/性能/功能

■性能

                 型号
 项目
G6D-F4B
继电器输出
 接触电阻 *1  100mΩ以下
 动作时间 *2  10ms以下
 复位时间 *2  10ms以下
 绝缘电阻  1000MΩ以上(DC 500V兆欧表)
 耐压  线圈和接点间  AC2,000V 50/60Hz 1min
 同极接点间  AC750V 50/60Hz 1min
 耐冲击电压(线圈接点间)  4,000V(1.2×50μs)
 振动  耐久  10~55~10Hz单振幅0.75mm(双振幅1.5mm)
 误动作  10~55~10Hz单振幅0.75mm(双振幅1.5mm)
 抗振  耐久  500m/s2
 误动作  100m/s2
 耐久性  机械  2,000万次以上 (开关频率18,000次/h)
 电力*2  AC250V 3A(阻性负载)10万次以上 DC 30V 3A(阻性负载)10万次以上 (开关频率18,000次/h)
 故障率P水准(参考值*3)   DC5V、10mA
 使用环境温度 储存温度  -25~+55℃(不结冰、凝露)
 使用环境湿度  45~85%RH
 重量  约65g
注. 上述值为初始值。
*1. 测量条件 :DC5V 1A
*2. 环境温度条件:+23℃
*3. 该数值为开关频率120次/min时的数值。
■动作特性
                 型号
 项目
G3DZ-F4B
功率MOS FET继电器输出
 动作时间  10ms以下
 复位时间  15ms以下
 输出ON电阻  2.4Ω以下
 开路时的漏电流  10μA(DC125V兆欧表)
 绝缘电阻  100MΩ以上(DC500V兆欧表)
 输入输出间耐压  AC2,000V 50/60Hz 1min
 振动  10~55~10Hz
 单振幅  0.75mm(双振幅1.5mm)
 冲击  500m/s2
 使用环境温度,储存温度  -25~+55℃(不结冰、凝露)
 使用环境湿度  45~85%RH
 重量  约70g

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